IRF3205ZPBF

Symbol Micros: TIRF3205z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 6,5 mOhm; 110A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3205ZPBF; IRF3205Z;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3205Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4175 0,9927 0,7956 0,7557 0,7463
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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