IRF3205ZPBF

Symbol Micros: TIRF3205z
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Gehäuse: TO220
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Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205ZPBF; IRF3205Z;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3205Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
230 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4121 0,9889 0,7926 0,7528 0,7435
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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