IRF3205ZPBF

Name: TIRF3205z TIRF3205z
Brand: Infineon
SKU: TIRF3205z
Price: 0.7579 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF3205z

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 6,5 mOhm; 110A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3205ZPBF; IRF3205Z;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6,5mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3205Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

130 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,4395	1,0081	0,8079	0,7674	0,7579

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205ZPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2769 stk.

Anzahl Stück	350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7579

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205ZPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

700 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7579

Widerstand im offenen Kanal:	6,5mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT