IRF3205ZS

Symbol Micros: TIRF3205zs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRLPBF , (IRF3205ZSPBF TUBE *obsolete)

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205ZS RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
304 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3186 0,9235 0,7855 0,7177 0,6944
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Standard-Verpackung:
800
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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