IRF3703
Symbol Micros:
TIRF3703
Gehäuse: TO220
N-MOSFET HEXFET 30V 210A 230W 0,0024Ω
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 210A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 210A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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