IRF3708

Symbol Micros: TIRF3708
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET HEXFET 30V 62A 87W 0,012Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 29mOhm
Max. Drainstrom: 62A
Maximaler Leistungsverlust: 87W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3708 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1339 0,7926 0,6616 0,6172 0,5962
Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 29mOhm
Max. Drainstrom: 62A
Maximaler Leistungsverlust: 87W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: THT