IRF3710S
Symbol Micros:
TIRF3710s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 23mOhm |
| Max. Drainstrom: | 57A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF3710STRLPBF RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Auf Lager:
584 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4806 | 1,0364 | 0,8814 | 0,8051 | 0,7796 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 23mOhm |
| Max. Drainstrom: | 57A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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