IRF3710ZSTRLPBF
Symbol Micros:
TIRF3710zs
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3710ZSTRLPBF; IRF3710ZSPBF; IRF3710ZSTRRPBF; IRF3710ZSPBF-GURT; IRF3710ZSTRLPBF; IRF3710ZSTRLPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 59A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 160W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF3710ZSTR RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Auf Lager:
795 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6230 | 1,1372 | 0,9668 | 0,8827 | 0,8547 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF3710ZSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
65600 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8547 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF3710ZSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
9600 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8547 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF3710ZSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1050 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8547 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 59A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 160W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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