IRF3805

Symbol Micros: TIRF3805
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 3,3 mOhm; 220A; 330 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3805PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,3mOhm
Max. Drainstrom: 220A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3805 RoHS Gehäuse: TO220AB Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
Nettopreis (EUR) 2,4683 2,1087 1,8962 1,8261 1,7631
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 3,3mOhm
Max. Drainstrom: 220A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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