IRF3808
Symbol Micros:
TIRF3808
Gehäuse: TO220
N-MOSFET HEXFET 75V 140A 330W 0,007Ω
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 140A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 140A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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