IRF3808PBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF3808 MOS
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF3808PBF; SP001563250;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 192W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 192W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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