IRF4104S

Name: TIRF4104s TIRF4104s
Brand: Infineon
SKU: TIRF4104s
Price: 0.7656 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF4104s

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 5,5 mOhm; 120A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF4104SPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,5mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF4104S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2073	0,8453	0,7192	0,6562	0,6352

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4104SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

950 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7656

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4104SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8020

Widerstand im offenen Kanal:	5,5mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD