IRF4905

Symbol Micros: TIRF4905
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF4905PBF; IRF 4905 PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 74A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
4852 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,3614 1,0402 0,8610 0,7540 0,7167
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Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
82750 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7167
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
36744 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7167
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
6515 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7167
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 74A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT
Ausführliche Beschreibung

Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
Transistortyp: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Transistorart: HEXFET
Spannung Drain-Source: -55V
Drainstrom: -74A
Leistung: 200W
Gehäuse: TO220AB
Spannung Gate-Source: 20V
Durchgangswiderstand: 20mΩ
Thermischer Widerstand Junction-Gehäuse: 750mK/W
Montage: THT
Gate-Ladung: 120nC

Symbol Micros

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