IRF4905

Symbol Micros: TIRF4905
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF4905PBF; IRF 4905 PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 74A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
7600 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5252 1,1640 0,9639 0,8443 0,8029
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Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
9575 stk.
Anzahl Stück 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,8926
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
8965 stk.
Anzahl Stück 10+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,8926
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF4905PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
967 stk.
Anzahl Stück 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,9596
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 74A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT
Ausführliche Beschreibung

Manufacturer: INTERNATIONAL RECTIFIER
Transistor type: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Transistor kind: HEXFET
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 20mΩ
Junction-to-case thermal resistance: 750mK/W
Mounting: THT
Gate charge: 120nC

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