IRF4905

Symbol Micros: TIRF4905
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 74A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
10480 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5383 1,2260 1,0489 0,9440 0,9043
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 74A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT
Ausführliche Beschreibung

Manufacturer: INTERNATIONAL RECTIFIER
Transistor type: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Transistor kind: HEXFET
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 20mΩ
Junction-to-case thermal resistance: 750mK/W
Mounting: THT
Gate charge: 120nC

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