IRF4905LPBF

Symbol Micros: TIRF4905L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO262
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO262
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF4905L RoHS Gehäuse: TO262 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,7649 2,1227 1,8051 1,7654 1,7280
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905LPBF Gehäuse: TO262  
Externes Lager:
493 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7280
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905LPBF Gehäuse: TO262  
Externes Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7280
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO262
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT