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IRF4905STRLPBF

Symbol Micros: TIRF4905s

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

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P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF4905STRLPBF; IRF4905SPBF-GURT; IRF4905STRRPBF; IRF4905S smd;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	70A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905STRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)

Auf Lager:

2400 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	1,6551	1,3105	1,1159	1,0245	0,9729

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905STRLPBF RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Auf Lager:

2365 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	1,6551	1,3105	1,1159	1,0245	0,9729

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	70A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,9307	0,6189	0,5111	0,4618	0,4431

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1534	0,8815	0,7291	0,6377	0,6072

IRF4905STRLPBF

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