IRF4905STRLPBF

Symbol Micros: TIRF4905s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF4905STRLPBF; IRF4905SPBF-GURT; IRF4905STRRPBF; IRF4905S smd;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905STRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
2400 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,8192 1,4410 1,2280 1,1274 1,0700
Standard-Verpackung:
800
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905STRLPBF RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
1350 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,8192 1,4410 1,2280 1,1274 1,0700
Standard-Verpackung:
800/4000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
3100 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2311
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD