IRF4905STRLPBF

Symbol Micros: TIRF4905s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRLPBF; IRF4905SPBF-GURT; IRF4905STRRPBF; IRF4905S smd;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905STRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
1547 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,5313 1,2134 1,0334 0,9469 0,9001
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Standard-Verpackung:
800
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905STRLPBF RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,5313 1,2134 1,0334 0,9469 0,9001
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Standard-Verpackung:
800/4000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905STRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,5313 1,2134 1,0334 0,9469 0,9001
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Standard-Verpackung:
400
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

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