IRF510S

Name: TIRF510s TIRF510s
Brand: Vishay
SKU: TIRF510s
Price: 0.3012 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF510s

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 5,6A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF510STRLPBF; IRF510SPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	540mOhm
Max. Drainstrom:	5,6A
Maximaler Leistungsverlust:	43W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF510S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Auf Lager:

90 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6936	0,4343	0,3409	0,3223	0,3012

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF510STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1600 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3012

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF510SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1767 stk.

Anzahl Stück	400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3012

Widerstand im offenen Kanal:	540mOhm
Max. Drainstrom:	5,6A
Maximaler Leistungsverlust:	43W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD