IRF5210PBF

Symbol Micros: TIRF5210
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF5210PBF; IRF5210;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF5210 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
160 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 450+
Nettopreis (EUR) 1,4793 1,0386 0,8314 0,7956 0,7790
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Standard-Verpackung:
50/450
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
6289 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7790
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3060 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7858
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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