IRF5210STRLPBF
Symbol Micros:
TIRF5210s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF5210STRLPBF; IRF5210SPBF; IRF5210STRRPBF; IRF5210SPBF-GURT; IRF5210S SMD;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 38A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 170W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF5210STRLPBF RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Auf Lager:
60 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,6001 | 2,1687 | 1,9209 | 1,8017 | 1,7326 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF5210STRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
59200 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7326 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF5210STRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
27200 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7326 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF5210STRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
7340 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7326 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 38A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 170W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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