IRF530NS
Symbol Micros:
TIRF530 ns
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF530NSPBF; IRF530NSPBF-GURT; IRF530NSTRLPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 90mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF530NS RoHS
Gehäuse: TO263t/r
Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3681 | 1,0454 | 0,8653 | 0,7577 | 0,7203 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF530NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1850 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7203 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF530NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
67200 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7203 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF530NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
9600 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7203 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 90mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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