IRF530S

Symbol Micros: TIRF530 s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160Ω IRF530SPBF

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF530S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
190 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8487 0,5377 0,4255 0,3858 0,3694
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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