IRF540
Symbol Micros:
TIRF540
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP30NF10 IRF540PBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 77mOhm |
Max. Drainstrom: | 28A |
Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF540 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 250+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,0975 | 0,7309 | 0,5651 | 0,5301 | 0,5231 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF540PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2198 stk.
Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5231 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRF540PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3100 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5231 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF540PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1450 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5231 |
Widerstand im offenen Kanal: | 77mOhm |
Max. Drainstrom: | 28A |
Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole