IRF540NL
Symbol Micros:
TIRF540nl
Gehäuse: TO262
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
| Max. Drainstrom: | 33A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Gehäuse: | TO262 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF540NL RoHS
Gehäuse: TO262
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 6+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4074 | 0,9562 | 0,8089 | 0,7528 | 0,7411 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
| Max. Drainstrom: | 33A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Gehäuse: | TO262 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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