IRF540S

Symbol Micros: TIRF540s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET HEXFET 100V 28A 3.7W 0,077Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 77mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF540S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
290 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,2087 0,8042 0,6196 0,5985 0,5751
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Standard-Verpackung:
50/500
Widerstand im offenen Kanal: 77mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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