IRF5801

Name: TIRF5801 TIRF5801
Brand: Infineon
SKU: TIRF5801
Price: 0.1518 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF5801

Gehäuse: TSOT23-6

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 2,2 Ohm; 600mA; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF5801TRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,2Ohm
Max. Drainstrom:	600mA
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5801TR RoHS Gehäuse: TSOT23-6 t/r

Auf Lager:

98 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3946	0,2174	0,1709	0,1583	0,1518

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5801TRPBF Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1518

Widerstand im offenen Kanal:	2,2Ohm
Max. Drainstrom:	600mA
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD