IRF610

Symbol Micros: TIRF610

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 3,3A; 36W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF610PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	3,3A
Maximaler Leistungsverlust:	36W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1768

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1175 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2400

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

12900 stk.

Anzahl Stück	600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1925

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-05-30

Anzahl Stück: 450

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	3,3A
Maximaler Leistungsverlust:	36W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT