IRF610

Name: TIRF610 TIRF610
Brand: -
SKU: TIRF610
Price: 0.2256 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF610

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 3,3A; 36W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF610PBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	3,3A
Maximaler Leistungsverlust:	36W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	350+	1050+
Nettopreis (EUR)	0,5633	0,3408	0,2627	0,2320	0,2256

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

14600 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2256

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

114 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2256

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2256

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	3,3A
Maximaler Leistungsverlust:	36W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT