IRF620G

Symbol Micros: TIRF620 iso
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET 4.1A 200V 30W 0.8Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI620GPBF Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3969
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET

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