IRF630NS smd
Symbol Micros:
TIRF630ns
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 300 mOhm; 9,3A; 82W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF630NSPBF; IRF630NSTRRPBF; IRF630NSTRLPBF; IRF630NSPBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 82W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 82W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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