IRF640NS smd

Symbol Micros: TIRF640ns

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150 mOhm; 18A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF640NSTRLPBF; IRF640NSPBF; IRF640NSPBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF640NS RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,5319	1,2213	1,0462	0,9387	0,9014

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9014

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

4590 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9014

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

6400 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9014

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD