IRF640S

Name: TIRF640s TIRF640s
Brand: Vishay
SKU: TIRF640s
Price: 0.6515 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF640s

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 180 mOhm; 18A; 130 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF640STRLPBF; IRF640SPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	180mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF640S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Auf Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2377	0,9458	0,7823	0,6865	0,6515

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF640SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1102 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6515

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF640STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

800 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6515

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF640SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1650 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6515

Widerstand im offenen Kanal:	180mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD