IRF640S

Name: TIRF640s TIRF640s
Brand: Siliconix
SKU: TIRF640s
Price: 0.6528 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF640s

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 180 mOhm; 18A; 130 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF640STRLPBF; IRF640SPBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	180mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF640S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Auf Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2401	0,9476	0,7838	0,6879	0,6528

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF640STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1600 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6528

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF640SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

192 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6528

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF640SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6528

Widerstand im offenen Kanal:	180mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD