IRF644S
Symbol Micros:
TIRF644s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 280 mOhm; 14A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF644SPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 14A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF644S RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Auf Lager:
134 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,5710 | 2,1040 | 1,8355 | 1,6673 | 1,6066 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF644SPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
770 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,6066 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF644STRRPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,6066 |
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 14A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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