IRF6645 Infineon
Symbol Micros:
TIRF6645
Gehäuse: DirectFET
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 35mOhm; 5,7A; 2,2 W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF6645TRPBF; IRF6645PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 35mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,2W |
| Gehäuse: | DirectFET |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF6645TR RoHS
Gehäuse: DirectFET
Datenblatt
Auf Lager:
1 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7866 | 1,3245 | 1,1577 | 1,0767 | 1,0505 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF6645TR RoHS
Gehäuse: DirectFET
Auf Lager:
46 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7366 | 1,3864 | 1,1863 | 1,0648 | 1,0219 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 35mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,2W |
| Gehäuse: | DirectFET |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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