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IRF7103TRPBF

Name: TIRF7103 TIRF7103
Brand: Infineon
SKU: TIRF7103
Price: 0.2433 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF7103

Gehäuse: SOP08

Datenblatt

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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 200 mOhm; 3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7103TRPBF; IRF7103PBF; IRF7103TR; IRF7103PBF-GURT; IRF7103 SMD;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	50V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r

Auf Lager:

25798 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5591	0,3556	0,2807	0,2550	0,2433

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBF Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

20690 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2433

Parameter
Beschreibung

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	50V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Ausführliche Beschreibung

Manufacturer: INTERNATIONAL RECTIFIER
Transistor type: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Transistor kind: HEXFET
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power: 2W
Case: SOP08
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 130mΩ
Junction-to-ambient thermal resistance: 62.5K/W
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC

IRF7103TRPBF

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