IRF710SPBF
Symbol Micros:
TIRF710s
Gehäuse: DirectFET
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 3,6 Ohm; 2A; 3,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRF710SPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRF710SPBF
Gehäuse: DirectFET
Externes Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2894 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF710SPBF
Gehäuse: DirectFET
Externes Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3500 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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