IRF720
Symbol Micros:
TIRF720
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1,8 Ohm; 3,3A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF720PBF;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
Max. Drainstrom: | 3,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF720 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
390 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7235 | 0,4580 | 0,3617 | 0,3289 | 0,3148 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF720PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4300 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3148 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF720PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2640 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3148 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF720PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
275 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4042 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
Max. Drainstrom: | 3,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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