IRF7201 smd

Symbol Micros: TIRF7201

Gehäuse: SOP08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 50mOhm; 7,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	50mOhm
Max. Drainstrom:	7,3A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7201TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt

Auf Lager:

93 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,6398	0,4017	0,3153	0,2872	0,2779

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7201TRPBF Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

8000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2779

Widerstand im offenen Kanal:	50mOhm
Max. Drainstrom:	7,3A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD