IRF7301

Symbol Micros: TIRF7301 c
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Gehäuse: SOP08
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Transistor Dual N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 19mOhm; 7,1A; 2W; -55°C~150°C; YFW9926S; IRF7301TRPBF; IRF7301TR(UMW); IRF7301TR-VB; IRF7301TRPBF-VB; IRF7301PBF; IRF7301PBF-GURT; IRF7301; IRF 7301 TRPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 7,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
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Geplantes Datum:
2024-08-02
Anzahl Stück: 1000
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 7,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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