IRF7307TRPBF

Symbol Micros: TIRF7307
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN/P-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 70mOhm/140mOhm; 5,2A/4,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7307PBF; IRF7307TRPBF; IRF7307PBF-GURT; IRF7307;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD