IRF7317TRPBF

Symbol Micros: TIRF7317
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN/P-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; LTB: 31. JULI 2024; Äquivalent: IRF7317PBF; IRF7317TRPBF; IRF7317PBF-GURT; IRF7317 SMD; IRF7317TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 6,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7317TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8804 0,5581 0,4414 0,4017 0,3830
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7317TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8640 0,5721 0,4577 0,4180 0,4110
Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7317TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4110
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 6,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD