IRF7342TR

Symbol Micros: TIRF7342
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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2xP-Channel MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 170 mOhm; 3,4A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7342TRPBF; IRF7342PBF; IRF7342PBF-GURT; IRF7342 smd; IRF 7342 TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 3,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7342TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7920 0,5025 0,3972 0,3613 0,3445
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Standard-Verpackung:
4000
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 3,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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