IRF7380Q

Symbol Micros: TIRF7380q

Gehäuse: SOP08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 73mOhm; 3,6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	73mOhm
Max. Drainstrom:	3,6A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	73mOhm
Max. Drainstrom:	3,6A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD