IRF7389
Symbol Micros:
TIRF7389
Gehäuse: SOP08
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 7,3A/5,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7389PBF; IRF7389TRPBF; IRF7389PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 98mOhm |
Max. Drainstrom: | 7,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7389TR RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
3330 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,0742 | 0,7146 | 0,5908 | 0,5324 | 0,5114 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7389TRPBF
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5114 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7389TRPBF
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5114 |
Widerstand im offenen Kanal: | 98mOhm |
Max. Drainstrom: | 7,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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