IRF7389

Symbol Micros: TIRF7389
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 7,3A/5,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7389PBF; IRF7389TRPBF; IRF7389PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 7,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7389TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
3330 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0742 0,7146 0,5908 0,5324 0,5114
Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7389TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5114
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7389TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5114
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 7,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD