IRF7389

Symbol Micros: TIRF7389
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Gehäuse: SOP08
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N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 7,3A/5,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7389PBF; IRF7389TRPBF; IRF7389PBF-GURT;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 7,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7389TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
3380 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0764 0,7160 0,5920 0,5335 0,5124
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Standard-Verpackung:
4000
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 7,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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