IRF740A

Symbol Micros: TIRF740 a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 550 mOhm; 10A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF740APBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF740AP RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,2884 0,9012 0,7181 0,6900 0,6782
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Standard-Verpackung:
50/150
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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