IRF740A
Symbol Micros:
TIRF740 a
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 550 mOhm; 10A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF740APBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF740AP RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
90 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2758 | 0,8923 | 0,7111 | 0,6832 | 0,6716 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740APBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
775 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6716 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740APBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
300 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6716 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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