IRFI740G
Symbol Micros:
TIRF740 iso
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 550 mOhm; 5,4A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFI740GPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
Max. Drainstrom: | 5,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFI740G RoHS
Gehäuse: TO220iso
Auf Lager:
29 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1092 | 0,7753 | 0,6188 | 0,5931 | 0,5838 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI740GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
4100 stk.
Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5838 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI740GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,6776 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRFI740GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5838 |
Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
Max. Drainstrom: | 5,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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