IRFI740G

Symbol Micros: TIRF740 iso
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 550 mOhm; 5,4A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFI740GPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFI740G RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
29 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,1092 0,7753 0,6188 0,5931 0,5838
Standard-Verpackung:
50/150
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI740GPBF Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
4100 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5838
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI740GPBF Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6776
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRFI740GPBF Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5838
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT