IRF740LC
Symbol Micros:
TIRF740 lc
Gehäuse: TO220
Transistor N-Kanal MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Ersatz: IRF740LCPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Siliconix |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF740LCPBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1793 | 0,9014 | 0,7449 | 0,6539 | 0,6212 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740LCPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1697 stk.
Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6212 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740LCPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
11600 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,6212 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRF740LCPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
750 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6212 |
Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Siliconix |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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