IRF7478TRPBF

Symbol Micros: TIRF7478 c

Gehäuse: SOP08

Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Ersatz: IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT; Veraltet; IRF7478;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	30mOhm
Max. Drainstrom:	7A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	30mOhm
Max. Drainstrom:	7A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD