IRF7807Z

Symbol Micros: TIRF7807z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 18,2 mOhm; 11A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7807ZTRPBF; IRF7807ZPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18,2mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7807ZTR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7446 0,4669 0,3879 0,3448 0,3232
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Standard-Verpackung:
10/100
Widerstand im offenen Kanal: 18,2mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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