IRF7821

Symbol Micros: TIRF7821
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12,5 mOhm; 13,6A; 2,5 W; -55 °C ~ 155 °C; Äquivalent: IRF7821PBF; IRF7821TRPBF; IRF7821PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12,5mOhm
Max. Drainstrom: 13,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7821TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3006
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 12,5mOhm
Max. Drainstrom: 13,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 155°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole