IRF7832 smd

Symbol Micros: TIRF7832
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,8 mOhm; 20A; 2,5 W; -55 °C ~ 155 °C; Äquivalent: IRF7832TRPBF; IRF7832PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,8mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7832TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6603 1,2657 1,0485 0,9177 0,8734
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7832TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
16000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8734
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7832TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
1650 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8734
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,8mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 155°C
Montage: SMD