IRF7842TRPBF

Symbol Micros: TIRF7842

Gehäuse: SOIC08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 5,9 mOhm; 18A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7842TRPBF; IRF7842PBF-GURT; IRF7842PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,9mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7842TRPBF Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

6100 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5246

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7842TRPBF Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4409

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7842TRPBF Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

16000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4233

Widerstand im offenen Kanal:	5,9mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD