IRF7853

Symbol Micros: TIRF7853
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-MOSFET HEXFET 100V 8,3A 2.5W 0,018Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 8,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7853TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
9 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,9464 1,5422 1,3132 1,2057 1,1449
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Standard-Verpackung:
400
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 8,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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