IRF7853

Symbol Micros: TIRF7853
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7853PBF; IRF7853TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 8,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7853TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
9 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1539 0,7652 0,6117 0,5589 0,5493
Standard-Verpackung:
400
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7853TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1539 0,7652 0,6117 0,5589 0,5493
Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7853TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5493
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7853TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
3250 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5493
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 8,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD