IRF7854

Symbol Micros: TIRF7854
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET HEXFET 10A 80V 2.5W 0.0134Ω

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,4mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7854 RoHS Gehäuse: SOP08 Datenblatt
Auf Lager:
28 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 95+ 190+
Nettopreis (EUR) 2,2631 1,7324 1,5360 1,4378 1,4144
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
95/190
Widerstand im offenen Kanal: 13,4mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole