IRF8010S

Symbol Micros: TIRF8010s

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-MOSFET HEXFET 80A 100V 260W 0.015Ω

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	15mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	260W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF8010STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

32800 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7979

Widerstand im offenen Kanal:	15mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	260W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD