IRF8010S

Symbol Micros: TIRF8010s

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 260 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF8010SPBF; IRF8010STRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	15mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	260W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF8010STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

28000 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8002

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF8010STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1600 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8336

Widerstand im offenen Kanal:	15mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	260W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD